STH275N8F7-2AG前往购买
STH275N8F7-2AG产品参数_符号图_原厂出售
IC先生 网络 97 2023-12-16 17:38:14
概述
该N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
STH275N8F7-2AG符号图
STH275N8F7-2AG功能参数
- 通过AEC-Q101认证
- 处于市面上最低的RDS(on) 行列
- 出色的品质因数（FoM）
- 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
STH275N8F7-2AG引脚图
STH275N8F7-2AG 3D图
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芯片
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