STFH12N105K5前往购买
STFH12N105K5产品规格_功能图_现货出售
IC先生 网络 88 2023-12-16 09:25:52
概述
这款超高压n沟道功率MOSFET采用基于创新专有垂直结构的MDmesh K5技术设计。
STFH12N105K5符号图
STFH12N105K5功能参数
- 行业最低RDS(on) *区域
- 行业最佳绩效指数(FoM)
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩测试
- Zener-protected
- 引脚之间的爬电距离为4.25 mm
STFH12N105K5引脚图
STFH12N105K5 3D图
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芯片
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