STB11NM80前往购买
STB11NM80产品参数_功能特性_现货专卖
IC先生 网络 36 2023-12-16 15:05:57
概述
这些n沟道功率mosfet采用意法半导体革命性的MDmesh™技术开发，该技术将多重漏极工艺与公司的PowerMESH™水平布局相关联。
STB11NM80符号图
STB11NM80功能参数
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
- 业内最佳RDS(on)*Qg
STB11NM80引脚图
STB11NM80 3D图
热点资讯
周度热榜
月度热榜
年度热榜
推荐商品
猜你想看
版权声明：
部分文章信息来源于网络以及网友投稿，本网站只负责对文章进行整理、排版、编辑，是出于传递更多信息之目的，并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性，如本站文章和转稿涉及版权等问题，请作者及时联系本站，我们会尽快处理。
文章标签:
芯片
热点资讯
