STB9NK80Z前往购买
STB9NK80Z规格参数_引脚特性_原装原厂
IC先生 网络 102 2023-12-16 15:20:01
概述
该高压器件是采用意法半导体(STMicroelectronics) SuperMESH技术开发的齐纳保护n沟道功率MOSFET，是对成熟的PowerMESH技术的优化。
STB9NK80Z符号图
STB9NK80Z功能参数
- AEC-Q101合格
- 100%雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 极低本征电容
- Zener-protected
STB9NK80Z引脚图
STB9NK80Z 3D图
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芯片
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