STB10LN80K5前往购买
STB10LN80K5中文规格_产品特征_原装供应
IC先生 网络 105 2023-12-16 17:24:55
概述
这款超高压N-沟道功率MOSFET 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。
STB10LN80K5符号图
STB10LN80K5功能参数
- 业界领先的低 RDS(on) x 面积
- 业界出色的品质因数（FoM）
- 极低的栅极电荷
- 经过100％雪崩测试
- 稳压保护
STB10LN80K5引脚图
STB10LN80K5 3D图
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