STW5NK100Z功能参数_产品特性_原装供应

600V CoolMOS™ CFD7是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superjunction MOSFET 技术，补全了 CoolMOS™ 7 系列

采用TO247-4封装的1200V 20mΩCoolSiCTM碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性

IR MOSFET系列功率MOSFET采用成熟的硅工艺，为设计人员提供广泛的器件组合，以支持各种应用，如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用

该功率MOSFET系列采用意法半导体独特的STripFET工艺实现，专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷

32 位微控制器，带 ARM ® Cortex®-M0，可用于大多数价格敏感，但对现有技术功能性要求高的应用

MSP430F1491IPMR是一款超低功耗微控制器(MCU)包含多款器件，这些器件配备了不同的外设集以满足各类应用的需求。该架构可与五种低功耗模式配合使用，专为在便携式测量应用中延长电池使用寿命而进行了优化。