STFW3N150产品参数_产品特性_原装供应
IC先生 网络 29 2023-12-16 12:52:24
概述
这些功率mosfet采用意法半导体基于带状布局的MESH OVERLAY工艺设计。
STFW3N150符号图
STFW3N150功能参数
- 100%雪崩测试
- 最小化固有电容和Qg
- 高速交换
- 全隔离TO-3PF塑料封装,爬电距离路径5.4 mm(型)
STFW3N150引脚图
STFW3N150 3D图
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芯片
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