STD3LN80K5前往购买
STD3LN80K5产品参数_产品特点_现货专卖
IC先生 网络 59 2023-12-16 13:48:07
概述
这款超高压N-沟道功率MOSFET 采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。
STD3LN80K5符号图
STD3LN80K5功能参数
- 业界领先的低RDS(on) x 面积
- 业界出色的品质因数（FoM）
- 极低的栅极电荷
- 经过100％雪崩测试
- 稳压保护
STD3LN80K5引脚图
STD3LN80K5 3D图
热点资讯
周度热榜
月度热榜
年度热榜
推荐商品
猜你想看
版权声明：
部分文章信息来源于网络以及网友投稿，本网站只负责对文章进行整理、排版、编辑，是出于传递更多信息之目的，并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性，如本站文章和转稿涉及版权等问题，请作者及时联系本站，我们会尽快处理。
文章标签:
芯片
热点资讯
