STP160N3LL前往购买
STP160N3LL功能参数_产品功能_原装供应
IC先生 网络 121 2023-12-16 13:42:15
概述
该器件是采用stripet™H6技术开发的n沟道功率MOSFET，具有新的沟槽栅极结构。
DS(上)
在所有的包装。
STP160N3LL符号图
STP160N3LL功能参数
- 极低导通电阻
- 极低栅极电荷
- 高雪崩坚固性
- 栅极驱动功率损耗低
STP160N3LL引脚图
STP160N3LL 3D图
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芯片
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