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STT5N2VH5功能参数_产品特点_原装供应

IC先生 网络 141 2023-12-16 12:53:48

概述

该器件是采用意法半导体STripFET™V技术开发的n沟道功率MOSFET。

STT5N2VH5符号图

STT5N2VH5

STT5N2VH5功能参数

  • 非常低调的包装
  • 传导损耗降低
  • 减少开关损耗
  • 2.5 V栅极驱动
  • 极低阈值装置

STT5N2VH5引脚图

STT5N2VH5

STT5N2VH5 3D图

STT5N2VH5

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文章标签: 芯片
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