STT5N2VH5功能参数_产品特点_原装供应
IC先生 网络 141 2023-12-16 12:53:48
概述
该器件是采用意法半导体STripFET™V技术开发的n沟道功率MOSFET。
STT5N2VH5符号图
STT5N2VH5功能参数
- 非常低调的包装
- 传导损耗降低
- 减少开关损耗
- 2.5 V栅极驱动
- 极低阈值装置
STT5N2VH5引脚图
STT5N2VH5 3D图
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芯片
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