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STL86N3LLH6AG前往购买

STL86N3LLH6AG中文规格_引脚图_原装原厂

IC先生 网络 99 2023-12-16 13:12:12

概述

该器件是采用stripet™H6技术开发的n沟道功率MOSFET，具有新的沟槽栅极结构。

DS(上)

在所有的包装。

STL86N3LLH6AG符号图

STL86N3LLH6AG

STL86N3LLH6AG功能参数

  • AEC-Q101合格
  • 极低导通电阻
  • 极低栅极电荷
  • 高雪崩坚固性
  • 栅极驱动功率损耗低
  • 逻辑电平
  • 可湿式侧翼包

STL86N3LLH6AG引脚图

STL86N3LLH6AG

STL86N3LLH6AG 3D图

STL86N3LLH6AG

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