STT6N3LLH6前往购买
STT6N3LLH6中文参数_产品特征_原装销售
IC先生 网络 96 2023-12-16 09:51:59
概述
该器件是一个n沟道功率MOSFET，使用6
th
新一代STripFET™DeepGATE™技术，具有全新的栅极结构。
DS(上)
在所有的包装。
STT6N3LLH6符号图
STT6N3LLH6功能参数
- RDS(on)* qg行业基准
- 极低导通电阻RDS(on)
- 高雪崩坚固性
- 低栅极驱动功率损耗
STT6N3LLH6引脚图
STT6N3LLH6 3D图
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芯片
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