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STFH24N60M2产品参数_产品符号_现货专卖
IC先生 网络 41 2023-12-16 13:21:59
概述
该器件是采用MDmesh™M2技术开发的n沟道功率MOSFET。
to - 220fp宽爬电封装为功率mosfet提供了更高的表面绝缘，以防止在污染环境中可能发生的电弧引起的故障。
STFH24N60M2符号图
STFH24N60M2功能参数
- 极低栅极电荷
- 优秀的输出电容(COSS)配置文件
- 100%雪崩测试
- Zener-protected
- 引脚之间的爬电距离为4.25 mm
STFH24N60M2引脚图
STFH24N60M2 3D图
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文章标签:
芯片
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