STP65N045M9前往购买
STP65N045M9中文参数_产品符号_原装原厂
IC先生 网络 107 2023-12-16 12:54:04
概述
该N沟道Power MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术，适合中/高电压MOSFET（具有非常低的单位面积导通电阻RDS(on)）。基于硅的M9技术采用多漏制造工艺，支持增强型器件结构。在所有硅基快速开关超结Power MOSFET中，运用此工艺制造的产品具有较低的导通电阻并降低了栅极电荷值，使其特别适合需要超高功率密度和出色效率的应用。
STP65N045M9符号图
STP65N045M9功能参数
- 全球硅基器件中出色的FOM RDS(on)*Qg
- 更高的VDSS额定值
- 更高的dv/dt性能
- 出色的开关性能
- 易于驱动
- 经过100％雪崩测试
STP65N045M9引脚图
STP65N045M9 3D图
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芯片
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