STFH10N60M2前往购买
STFH10N60M2产品规格_产品符号_原装供应
IC先生 网络 32 2023-12-17 17:43:03
概述
该器件是采用MDmesh M2技术开发的n沟道功率MOSFET。
to - 220fp宽爬电封装为功率mosfet提供了更高的表面绝缘，以防止在污染环境中可能发生的电弧引起的故障。
STFH10N60M2符号图
STFH10N60M2功能参数
- 极低栅极电荷
- 优秀的输出电容(COSS)配置文件
- 100%雪崩测试
- Zener-protected
- 引脚之间的距离为4.25 mm
STFH10N60M2引脚图
STFH10N60M2 3D图
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芯片
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