STP18N65M2中文参数_引脚特性_现货出售
IC先生 网络 97 2023-12-18 12:32:59
概述
这些器件是采用MDmesh™M2技术开发的n沟道功率mosfet。
STP18N65M2符号图
STP18N65M2功能参数
- 极低栅极电荷
- 优异的输出电容(损耗)分布
- 100%雪崩测试
- Zener-protected
STP18N65M2引脚图
STP18N65M2 3D图
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芯片
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