STD65N160M9前往购买
STD65N160M9功能参数_符号图_现货出售
IC先生 网络 109 2023-12-18 17:34:32
概述
该N沟道功率MOSFET基于创新超结MDmesh M9技术，该技术适用于单位面积导通电阻RDS(on)非常低的中/高电压MOSFET。基于硅的M9技术采用多漏制造工艺，增强了器件结构。在所有硅基快速开关超结功率MOSFET中，运用此工艺制造的产品具有较低的导通电阻并降低了栅极电荷值，特别适合需要超高功率密度和出色效率的应用。
STD65N160M9符号图
STD65N160M9功能参数
- 品质因数RDS(on)*Qg在硅基器件中非常出色
- 更高的VDSS额定值
- 更高的dv/dt性能
- 出色的开关性能
- 易于驱动
- 经过100%雪崩测试
- 稳压保护
STD65N160M9引脚图
STD65N160M9 3D图
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芯片
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