TN2010H-6G前往购买
TN2010H-6G中文参数_功能特性_原装现货
IC先生 网络 116 2023-12-19 10:37:21
概述
该设备在高达20 A的工作期间提供高热性能
RMS
，由于结温高达150°C。
其D²PAK封装允许现代SMD设计以及紧凑的背靠背配置。
噪声抗扰性和低栅极触发电流的结合允许设计强大和紧凑的控制电路。
TN2010H-6G符号图
TN2010H-6G功能参数
- 结温高:Tj = 150℃
- 高抗噪性dV/dt = 400 V/µs，最高可达150°C
- 栅极触发电流IGT = 10 mA
- 断态峰值电压VDRM/ vrm = 600v
- 高导通电流上升dI/dt = 100 A/µs
- ECOPACK®2兼容组件
TN2010H-6G引脚图
TN2010H-6G 3D图
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