VND5E012MY-E前往购买
VND5E012MY-E中文规格_产品特征_现货出售
IC先生 网络 27 2023-12-19 14:56:33
概述
VND5E012MY-E是意法半导体制造的双通道高侧驱动器
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VIPower
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M0-5技术，安装在微型PowerSSO-36封装中。
该设备集成了先进的保护功能，如负载电流限制，浪涌和过载主动管理的功率限制，过温切断与自动重启和过压主动箝位。
通过将CS_DIS引脚拉高，可以关闭整个器件的电流传感和诊断反馈，以便与其他类似器件共享外部检测电阻。
VND5E012MY-E符号图
VND5E012MY-E功能参数
- 一般
- 功率限制的涌流有源管理
- 极低待机电流
- 3.0V CMOS兼容输入
- 优化电磁发射
- 极低电磁磁化率
- 符合2002/95/EC欧洲指令
- 极低电流感漏
- 诊断功能
- 比例负载电流传感器
- 电流检测精度高，电流范围宽
- 电流感应失效
- 过载和短路接地(功率限制)指示
- 热关机指示
- 保护
- 欠压关闭
- 过电压夹
- 负载电流限制
- 快速热瞬变的自限制
- 保护接地和VCC的损失
- 过热停机，自动重启(热停机)
- 反向电池保护与自我开关的功率MOSFET
- 静电放电保护
VND5E012MY-E引脚图
VND5E012MY-E 3D图
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芯片
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