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IRF840场效应管参数_引脚配置_应用电路
IC先生 IC先生 554 2023-12-25 16:08:48
IRF840是一款N沟道功率MOSFET，支持高达8A和500V的负载。它是一种快速开关和高压器件，需要栅极端子上有10V电压才能启动传导过程。
IRF840是一个N沟道MOSFET，这里的传导过程是通过电子的流动来实现的，而P沟道MOSFET的传导过程是通过空穴的流动来实现的。
值得注意的是，传导是在MOSFET内部通过电子和空穴运动进行的过程，但电子是N沟道MOSFET器件中的主要载流子，而空穴是P沟道MOSFET器件中的主要载流子。
规格参数
功能特性
- 类型N沟道快速开关功率MOSFET
- 上升时间和下降时间分别为23nS和20nS
- 栅极阈值电压 (VGS-th)=10V（限值=±20V）
- 连续漏极电流 (ID)=8A
- 漏源电阻 (RDS) =0.85欧姆
- 可用封装=TO-220
- 漏源击穿电压=500V
替代和等效型号包括YTA840、IRF841、IRF842、IRF843、IRFI840G、IRFS840、IRFS841、STP8NA50、2SK554、2SK1158、2SK1566、2SK1567、2SK1805、2SK2116、2SK2117、2SK2118、2SK2175、 IRF744。
引脚配置
IRF840是一款三端器件，由栅极 (G)、漏极 (D) 和源极 (S) 端子组成，外部电路通过这些端子与这些 MOSFET连接，其引脚配置如下所示：
典型传输特性
安全操作区域
未钳位感性负载测试电路
阻性负载开关时间测试电路
门测试电路
封装设计参数
典型应用
- 用于逆变器电路和DC-DC转换器。
- 纳入高速开关应用。
- 用于开关大功率器件。
- 用于控制电机和LED调光器或闪光灯的速度。
总结
众所周知，MOSFET代表金属氧化物硅场效应晶体管，它也被称为IGFET绝缘栅场效应晶体管。它是通过硅半导体材料的受控氧化制成的。MOSFET和BJT（双极结型晶体管）被视为不同的半导体，因为BJT是电流控制器件，而MOSFET是电压控制器件。
施加在栅极端子上的电压通常与源极和漏极端子之间的电流直接相关。栅极端子电压控制漏极和源极端子处的电流。简而言之，门端子就像一个控制阀，控制两个端子之间的电流。
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