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LM74912-Q1产品参数_产品功能_原装原厂
IC先生 网络 159 2023-10-03 08:08:04
LM74912-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而仿真具有电源路径开/关控制及过流和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许在发生过流和过压事件时使用 HGATE 控制将负载断开（开/关控制）。该器件具有集成的电流检测放大器，可提供基于外部 MOSFET VDS 检测的短路保护和可调节电流限值。当检测到输出发生短路时，器件会锁存负载断开 MOSFET。该器件具有可调节过压切断保护功能。该器件具有睡眠模式，可实现超低静态电流消耗 (6µA)，同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。LM74912-Q1 的最大额定电压为 65V。
LM74912-Q1的特性
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
- 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
- 3V 至 65V 输入范围
- 反向输入保护低至 –65V
- 在共漏极配置下，可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
- 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
- 低反向检测阈值 (-10.5 mV)，能够快速响应 (0.5µs)
- 20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
- 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
- 可调节过压和欠压保护
- 具有 MOSFET 锁存状态的输出短路保护
- 超低功耗模式具有 2.5µA 关断电流（EN=低电平）
- 睡眠模式具有 6µA 电流（EN=高电平，SLEEP=低电平）
- 采用合适的瞬态电压抑制 (TVS) 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
- 采用 4mm × 4mm 24 引脚 VQFN 封装
LM74912-Q1功能图
LM74912-Q1规格参数
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| Vin (min) (V) | 3 |
| Vin (max) (V) | 65 |
| 通道数 | 1 |
| 特性 | Adjustable current limit, Analog current monitor, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection, Short circuit protection, Under voltage lock out |
| 智商(类型)(mA) | 0.63 |
| 场效应晶体管 | External back-to-back FET |
| 栅极源(类型)(µA) | 18500 |
| 栅极吸收(类型)(mA) | 2670 |
| 工作温度范围(℃) | -40 to 125 |
| 评级 | Automotive |
| 关断电流(ISD) (mA) (A) | 0.00287 |
| 设备类型 | Ideal diode controller |
| 产品类型 | Ideal diode controller |
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