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4N35光耦引脚_功能参数_工作原理

IC先生 IC先生 1199 2023-10-11 16:53:21

4N35是通用且广泛使用的光耦合器,或者可以说它是光隔离器和光耦器,提供6引脚DIP和SMD封装。该器件包含两部分,一部分是红外LED,另一部分是光电晶体管。该器件的工作非常简单,当红外LED通电并激活LED时,光电晶体管检测到红外光,从而使晶体管饱和或导通。内部光电晶体管有两个基极可以控制,一个是光电检测或红外光检测,另一个连接到器件的引脚6,因此可以同时由两个程序控制。

4N35器件中的光电晶体管的最大集电极-发射极电压为30V,最大集电极-发射极电流为150mA。另外,集电极-发射极饱和电压为0.14至0.3V。通常情况下,晶体管的饱和电压为0.6或0.7伏,但对于需要低电压饱和的应用来说,0.3伏是理想的饱和电压。

至于IR LED特性,最大正向电流为60毫安,最大功耗为120毫瓦。Pin3标有“NC”,表示引脚未与内部电路连接。

4N35

规格参数

产品属性 属性值
产品种类: 晶体管输出光电耦合器
通孔
PDIP-6
1个
3550 Vrms
NPN Phototransistor
100%
60 mA
1.5 V
30 V
100 mA
300 mV
10 us
10 us
6 V
350 mW
–55°C
+ 100°C
配置: 1个
电流传递比: 100 %
高度: 3.5 mm
长度: 7.3 mm
宽度: 6.5 mm
单位重量: 300 mg

功能特性

  • 封装类型:6引脚DIP和SMD
  • 晶体管类型:NPN光电晶体管
  • 光电晶体管最大集电极电流(IC):150mA
  • 光电晶体管最大集电极-发射极电压 (VCEO):30V
  • 光电晶体管集电极-发射极饱和电压:0.14至0.3
  • 光电晶体管最大发射极-集电极电压 (VECO):7V
  • 光电晶体管最大集电极耗散 (Pc):150毫瓦
  • LED最大反向电压 (VR):6V
  • LED最大正向电流:60毫安
  • LED最大功耗:120毫瓦

4N35替代和等效光耦合器有4N36、4N37、4N25、4N26、4N28 、PC816、PC817、4N27、4N36和H11Ax系列。

引脚功能说明

4N35共有六个引脚,包括IR LED和光电晶体管(PHOTO TRANSISTOR),其引脚配置和功能说明可以参考下图:

引脚功能说明

功能原理

使用4N35光耦合器非常简单,如上所述,该设备包含两个部分或组件:IR LED和光电晶体管,LED阳极引脚可以与你正在操作或工作的设备的输出连接(例如任何IC或微控制器) ,LED的阴极引脚应与该设备的接地连接,该LED的处理方式应与处理任何其它LED的方式相同,当然也必须使用限流电阻。

当4N35的输出变高时,LED将打开,并且光电晶体管检测到红外光,使其饱和或打开,因此集电极和发射极引脚将短路,从而导致与该引脚连接的任何电线4和5将相互连接。以下测试某个测试电路和波形图:

测试电路

安全注意事项

为了该设备的长期稳定性和性能,建议用户不要在超过其最大额定值的情况下操作该设备。请勿通过本设备施加或操作150mA的负载。始终建议对IR LED使用限流电阻。请勿在低于-55摄氏度和高于+100摄氏度的温度下操作设备,并始终在高于-55摄氏度和低于+150摄氏度的环境中存放。

应用领域

4N35光耦合器可用于电子电路中的各种通用要求,一些比较常见的应用包括:

  • 电路中的隔离
  • 微控制器输出到控制设备
  • 电源和充电器
  • 数字应用电路
  • 电信应用/电路
  • 交流隔离电路
  • 交流检波器电路

暗电流与环境温度

暗电流与环境温度

LED正向电压与正向电流

LED正向电压与正向电流

集电极-发射极饱和电压与集电极电流

集电极-发射极饱和电压与集电极电流

封装设计参数

封装设计参数

总结

实际上,4N35是一种使用非常广泛的光耦合器件,由于具体良好的特性和易用性,例如,你可以在电子电路中使用它来保护电路、IC和其它组件免受电压浪涌或电压尖峰的损坏。除此之外,4N35还可以用于电子电路中的隔离,你还可以用于检测交流和直流电路中、微控制器芯片输出处的电压,控制大功率晶体管、高压器件等。

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文章标签: 耦合器
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