4N35光耦引脚_功能参数_工作原理
4N35是通用且广泛使用的光耦合器,或者可以说它是光隔离器和光耦器,提供6引脚DIP和SMD封装。该器件包含两部分,一部分是红外LED,另一部分是光电晶体管。该器件的工作非常简单,当红外LED通电并激活LED时,光电晶体管检测到红外光,从而使晶体管饱和或导通。内部光电晶体管有两个基极可以控制,一个是光电检测或红外光检测,另一个连接到器件的引脚6,因此可以同时由两个程序控制。
4N35器件中的光电晶体管的最大集电极-发射极电压为30V,最大集电极-发射极电流为150mA。另外,集电极-发射极饱和电压为0.14至0.3V。通常情况下,晶体管的饱和电压为0.6或0.7伏,但对于需要低电压饱和的应用来说,0.3伏是理想的饱和电压。
至于IR LED特性,最大正向电流为60毫安,最大功耗为120毫瓦。Pin3标有“NC”,表示引脚未与内部电路连接。
规格参数
产品属性 | 属性值 |
---|---|
产品种类: | 晶体管输出光电耦合器 |
通孔 | |
PDIP-6 | |
1个 | |
3550 Vrms | |
NPN Phototransistor | |
100% | |
60 mA | |
1.5 V | |
30 V | |
100 mA | |
300 mV | |
10 us | |
10 us | |
6 V | |
350 mW | |
–55°C | |
+ 100°C | |
配置: | 1个 |
电流传递比: | 100 % |
高度: | 3.5 mm |
长度: | 7.3 mm |
宽度: | 6.5 mm |
单位重量: | 300 mg |
功能特性
- 封装类型:6引脚DIP和SMD
- 晶体管类型:NPN光电晶体管
- 光电晶体管最大集电极电流(IC):150mA
- 光电晶体管最大集电极-发射极电压 (VCEO):30V
- 光电晶体管集电极-发射极饱和电压:0.14至0.3
- 光电晶体管最大发射极-集电极电压 (VECO):7V
- 光电晶体管最大集电极耗散 (Pc):150毫瓦
- LED最大反向电压 (VR):6V
- LED最大正向电流:60毫安
- LED最大功耗:120毫瓦
4N35替代和等效光耦合器有4N36、4N37、4N25、4N26、4N28 、PC816、PC817、4N27、4N36和H11Ax系列。
引脚功能说明
4N35共有六个引脚,包括IR LED和光电晶体管(PHOTO TRANSISTOR),其引脚配置和功能说明可以参考下图:
功能原理
使用4N35光耦合器非常简单,如上所述,该设备包含两个部分或组件:IR LED和光电晶体管,LED阳极引脚可以与你正在操作或工作的设备的输出连接(例如任何IC或微控制器) ,LED的阴极引脚应与该设备的接地连接,该LED的处理方式应与处理任何其它LED的方式相同,当然也必须使用限流电阻。
当4N35的输出变高时,LED将打开,并且光电晶体管检测到红外光,使其饱和或打开,因此集电极和发射极引脚将短路,从而导致与该引脚连接的任何电线4和5将相互连接。以下测试某个测试电路和波形图:
安全注意事项
为了该设备的长期稳定性和性能,建议用户不要在超过其最大额定值的情况下操作该设备。请勿通过本设备施加或操作150mA的负载。始终建议对IR LED使用限流电阻。请勿在低于-55摄氏度和高于+100摄氏度的温度下操作设备,并始终在高于-55摄氏度和低于+150摄氏度的环境中存放。
应用领域
4N35光耦合器可用于电子电路中的各种通用要求,一些比较常见的应用包括:
- 电路中的隔离
- 微控制器输出到控制设备
- 电源和充电器
- 数字应用电路
- 电信应用/电路
- 交流隔离电路
- 交流检波器电路
暗电流与环境温度
LED正向电压与正向电流
集电极-发射极饱和电压与集电极电流
封装设计参数
总结
实际上,4N35是一种使用非常广泛的光耦合器件,由于具体良好的特性和易用性,例如,你可以在电子电路中使用它来保护电路、IC和其它组件免受电压浪涌或电压尖峰的损坏。除此之外,4N35还可以用于电子电路中的隔离,你还可以用于检测交流和直流电路中、微控制器芯片输出处的电压,控制大功率晶体管、高压器件等。