2SB649晶体管引脚图_规格参数_代换型号

2SB649是一款高压PNP晶体管，设计用作低频应用中的功率放大器。此外，该晶体管的集电极到发射极电压高达-120V，这使其非常适合在许多高压应用中使用。

2SB649是2SD669晶体管的PNP互补型号。因此，如果你正在寻找具有高达1.5A负载驱动能力的高压PNP晶体管，那么该晶体管可能是一个不错的选择。

根据其hFE值，该晶体管有三种不同的版本，并且可以借助零件编号后的字母来确定。如果字母是“B”，则其hFE将为60-120，如果字母为“C”，则其hFE将为200-200，如果字母为“D”，则其hFE将为160-320。

引脚配置

2SD669是一种NPN晶体管，这种晶体管通常具有三个引脚，分别是：发射极（E，Emitter）、基极（B，Base）和集电极（C，Collector），其引脚配置如下所示：

1. 发射极（Emitter，E）：输出引脚，也是电流的输出极。电流从晶体管的发射极流出。

2. 集电极（Collector，C）：输入引脚，也是电流的输入极。电流流入晶体管的集电极。

3. 基极（Base，B）：输入引脚，用于控制电流流动。通过在基极上施加适当的电压或电流，可以控制从发射极到集电极的电流。

规格特性

• 封装类型：TO-126
• 晶体管类型：PNP
• 最大集电极电流(IC)：-1.5A
• 值集电极电流：-3A
• 最大集电极-发射极电压 (VCE)：-120V
• 最大集电极-基极电压 (VCE)：-180V
• 最大发射极-基极电压 (VBE)：-5V
• 集电极至发射极饱和电压：-1V
• 集电极输出电容为：27pF，
• 最大功耗 (Pc)：1W
• 最大转换频率 (fT)：140 MHz
• 最小和最大直流电流增益 (hFE)：60至320
• 最大存储、工作和结温范围：-55至+150摄氏度

2SD669的PNP互补型号是2SB649；替换和等效型号包括2SB1419、2SB649A、2SB649B、2SB649C、2SB1347。

应用领域

2SD669可用于各种低频功率放大器，但它也可用于其他应用，如通用用途、射频电路、开关、电源、电压放大器等。一些比较常见的应用包括：

• 电压放大器
• 电源
• 无线电和射频
• 一般用途
• 电源调节

安全注意事项

在操作2SD669之前，了解晶体管的安全操作限制非常重要。上面显示的晶体管的最大额定值是晶体管可以持续生存的最大限制，因此保持低于这些额定值至少 20% 始终很重要。

• 最大集电极到发射极电压为-120V，因此不应驱动超过-96V负载。
• 最大集电极电流为-1.5A，因此导出负载应低于-1.2A。
• 最大发射极基极电压不应超过-5V。
• 最大功耗不应超过1W。
• 使用合适的散热器很重要。
• 晶体管的存储和工作温度应在-55°C至+150°C之间。

集电极-发射极电压VCE（V）

基极-发射极电压VBE（V）

集电极电流IC（mA）

最大安全操作区域

封装设计参数（单位mm）

总结

2SD669晶体管是一种NPN型晶体管，这意味着它具有一个发射极（Emitter）接地，一个基极（Base），以及一个集电极（Collector）。通常采用例如TO-126封装。

2SD669具有高负载能力，主要用于电子电路中，特别是需要放大电流或控制电流的应用。它可以被用作开关，也可以被配置为放大器，用于放大小信号。