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TPS2310中文规格_产品特性_原装现货

IC先生 网络 175 2023-10-15 13:50:22

TPS2310和TPS2311是双通道热插拔控制器,使用外部n通道mosfet作为电源应用中的高频开关。这些器件的特性,如过流保护(OCP)、浪涌电流控制、输出功率状态报告以及区分负载瞬态和故障的能力,是热插拔应用的关键要求。

TPS2310/11器件包括欠压锁定(UVLO)和电源good (PG)报告,以确保设备在启动时关闭,并在运行期间确认输出电压轨的状态。每个内部电荷泵能够驱动多个mosfet,提供足够的栅极驱动电压,以充分增强n沟道mosfet。电荷泵控制mosfet的上升时间和下降时间(dv/dt),减少上/下电过程中的功率瞬态。断路器功能结合了感应过流条件和定时器功能的能力;。

DISCH1, DISCH2 - DISCH1和DISCH2应分别连接到与GATE1和GATE2相连的外部n沟道MOSFET晶体管的源端。当MOSFET晶体管被禁用时,这些引脚释放负载。它们也可作为内部门电压箝位电路的参考电压连接。

ENABLE或ENABLE—TPS2310的ENABLE为active-low。TPS2311的ENABLE为active-high。当控制器使能时,GATE1和GATE2电压都将上电以打开外部mosfet。当TPS2310的ENABLE引脚拉高或TPS2311的ENABLE引脚拉低超过50µs时,电流源以可控速率放电MOSFET的栅极,并使能晶体管放电输出体电容。此外,设备在使能时打开内部稳压器preeg(参见VREG),在关闭时关闭preeg,使电源总电流小于5µA。

FAULT - FAULT是一个开漏过流标志输出。当任何一个通道中的过流状态持续足够长的时间使TIMER充电到0.5 V时,两个通道锁存并将该引脚拉低。为了重新打开设备,必须切换使能引脚或循环输入电源。

GATE1, GATE2 - GATE1和GATE2连接外部n沟道MOSFET晶体管的栅极。当器件启用时,内部电荷泵电路通过向每个引脚提供约15µA的电源将这些引脚拉上。转压速率取决于GATE1和GATE2端子上的电容。如果需要,可以通过在这些引脚和地之间连接电容进一步降低转压速率。这些电容器还可以减少浪涌电流,并保护设备在上电期间免受误过流触发。电荷泵电路通过外部MOSFET晶体管产生9v - 12v的栅源电压。

IN1, IN2 - IN1和IN2应分别连接到驱动连接到GATE1和GATE2的外部n沟道MOSFET晶体管的电源上。TPS2310/TPS2311从IN1获取工作电流,两个通道保持禁用状态,直到IN1电源建立。IN1通道已构建为支持3v, 5v或12v操作,而IN2通道已构建为支持3v或5v操作。

ISENSE1, ISENSE2, ISENSE1, ISENSE2 - ISENSE1和ISENSE2结合ISET1和ISET2实现对GATE1和GATE2的过流检测。。如果ISENSE1被拉到ISET1以下或ISENSE2被拉到ISET2以下,则假定存在过流情况。。

PWRGD1, PWRGD2 - PWRGD1和PWRGD2分别在VSENSE1和VSENSE2上发出欠压情况的信号。这些引脚是开漏输出,在欠压状态下被拉低。为了最大限度地减少电压轨上瞬态的错误PWRGDx响应,电压检测电路集成了一个20µs的去glitch滤波器。当VSENSEx低于参考电压(约1.23 V)时,PWRGDx为低电平,表示电源轨电压欠压。当器件被禁用时,PWRGDx可能无法正确报告电源状况,因为在禁用模式下PWRGD输出晶体管没有栅极驱动电源,或者换句话说,PWRGD是浮动的。因此,PWRGD在disable模式下被上拉到其上拉电源轨道。

定时器-定时器上的电容设置电源开关在关闭前过流的时间。当过流保护电路检测到电流过大时,电流源使能,对定时器上的电容器充电。一旦定时器上的电压达到约0.5 V,断路器锁存器设置,电源开关锁存器关闭。必须回收电源或必须切换ENABLE引脚以重新启动控制器。在大功率或高温应用中,强烈建议从TIMER到地使用至少50 pf的电容,以防止任何误触发。

VREG - VREG是内部低压差稳压器的输出,其中IN1是输入。稳压器用于为器件产生小于5.5 V的稳压源。在VREG和地之间应连接一个0.1µF的陶瓷电容器,以帮助抑制噪声。在此配置中,在禁用设备时,内部低降稳压器也将被禁用,这将从内部电路中移除电源,并允许将设备置于低静态电流模式。在IN1小于5.5 V的应用中,可以将VREG和IN1连接在一起。然而,在这些条件下,禁用设备不会将设备置于低静止电流模式,因为内部低降稳压器被绕过,从而保持内部电路工作。如果VREG和IN1连接在一起,如果IN1已经有1µF到10µF的旁路电容器,则不需要在VREG和地之间使用0.1µF的陶瓷电容器。

VSENSE1, VSENSE2 - VSENSE1和VSENSE2可用于检测外部电路的欠压情况。如果VSENSE1检测到电压低于约1.23 V, PWRGD1被拉低。同样,VSENSE2上小于1.23 V的电压会导致PWRGD2被拉低。


TPS2310的特性

  • 双通道高频MOSFET驱动器
  • IN1: 3v ~ 13v;
  • 输出dV/dt控制限制浪涌电流
  • 可编程过流断路器
    阈值和瞬态定时器
  • Power-Good报告与瞬态滤波器
  • CMOS和ttl兼容使能输入
  • Low, 5-µA Standby Supply Current .(Max)
  • 提供20针TSSOP封装
  • –40°C to 85°C Ambient Temperature Range
  • 静电放电保护

TPS2310功能图

TPS2310


TPS2310规格参数

产品属性属性值
场效应晶体管External
Vin (min) (V)3
Vin (max) (V)13
Vabsmax_cont (V)15
限流(min) (A)0.01
限流(最大)(A)500
过电流响应Circuit breaker
错误响应Latch-off
软启动Adjustable
特性Fault output, Power good signal
评级Catalog
设备类型eFuses and hot swap controllers
工作温度范围(℃)-40 to 85
函数Inrush current control, Power good signal
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