IRF2807场效应管引脚图_中文参数_代换型号

IRF2807是一款采用TO-220AB封装制造的N沟道MOSFET，该MOSFET设计用于多种应用，在行业内很常见。

IRF2807 MOSFET还可以在低栅极电压下工作，这使得它非常适合直接从5V设备的输出驱动，例如IC、微控制器、Arduino板、树莓派等。虽然你不会获得其最大输出电流82A，但在驱动时5伏但你仍然可以获得68A，这是一个很好的输出，足以驱动各种大电流设备。

引脚配置

IRF2807是一款常见的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（N-Channel MOSFET），具有三个引脚，其引脚配置通常如下：

1. Gate (G)：通过在Gate引脚上施加电压，可以控制MOSFET的导通和截止。当Gate与Source之间施加足够的正电压（通常为高电平），MOSFET导通。当Gate与Source之间施加低电平时，MOSFET截止。

2. Drain (D)：它与电路的高电压电源连接，用于驱动负载或连接到其他电子元件。

3. Source (S)：它与电路的地或负电压电源连接，并与Drain之间形成了通道，控制电流的流动。

规格参数

• 封装类型： TO-220AB
• 晶体管类型： N沟道
• 从漏极到源极施加的最大电压：75V
• 最大栅极至源极电压应为：±20V
• 最大持续漏极电流为：82A
• 最大脉冲漏极电流为：280A
• 最大功耗为：230W
• 导通状态下的最大漏源电阻（RDS 开启）：13mΩ
• 最高存储和工作温度应为：-55至+175摄氏度

替换和等效型号包括IRF1407、IRF2807PBF、IRFB4410、IRFB4410Z/G、IRFB4310、IRFB4310G/Z、IRFB4115、IRFB4110、IRFB3307、IRFB3207、IRFB3808。

功能特性

IRF2807具有许多良好的特性，使其在行业内广泛应用，一些优质的特性包括：

• 超低导通电阻，这意味着它在导通状态下具有非常低的电阻以及低功率损耗和更多的电流。
• 具有完全雪崩额定值，这意味着它可以处理突然的电压尖峰而不会损坏。
• 具有先进的工艺技术，意味着它是采用先进的方法制造的，因此可以提供更好的性能。
• 具有快速开关能力，这意味着它可以以非常高的速度打开和关闭，这使得它适合在快速开关至关重要的应用中使用。
• IRF2807工作温度高达175°C，因此可以在高温环境下轻松运行而不影响其性能。
• 此外，它还具有动态dv/dt额定值，使其能够处理快速的电压升降或电压波动。所有这些功能使该 MOSFET 成为一款坚固可靠的器件，可用于各种商业和工业应用。

应用领域

IRF2807可用于许多商业和工业应用，包括电力电子、控制器电路、电源、工业自动化、开关、放大、汽车等。一些比较常见的应用包括：

1. 电压调节器
2. 逆变器
3. 开关电源（电信电源、LED驱动器等）
4. 灯光控制系统
5. 直流到直流转换器
6. 电机控制（风扇、泵、压缩机等）
7. 音频放大器

注意：对于使用该晶体管，重要的是要知道它的栅极至少需要4.5V电压才能导通，但你只能获得20A至22A的输出电流。但如果你提供5V电压，那么将获得68A的输出电流，而在5.5V电压下，它将提供82A的完整连续输出。但我们不建议在其最大额定值上使用它，并保持至少低于 20%的65A值。

安全操作指南

为了获得良好的长期性能，了解MOSFET的安全操作指南至关重要。以下是安全操作的一些重要指南。

• 不要将MOSFET驱动至其绝对最大额定值，并始终保持至少低于 20%。
• 因此按照20%以下运行规则，不要驱动超过65.6A的负载。
• 最大漏源电压为75V，因此请勿驱动超过60V的负载。
• 始终为该MOSFET使用合适的散热器。
• 在高于-55°C和低于+175°C的温度下储存或操作。

典型输出特性

典型栅极电荷与栅极-源极电压之比

最大安全操作区域

切换时间测试电路及波形

封装设计参数

总结

IRF2807是来自International Rectifier的第五代HEXFET器件，利用先进的加工技术实现了每硅面积极低的导通电阻。这种优势，加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和加固的器件设计，为设计者提供了一种在各种应用中使用的极其高效和可靠的器件。

另外，IRF2807器件采用TO-220封装，TO-220是所有商业工业应用的普遍首选，功耗水平约为50瓦。TO-220的低热阻和低封装成本有助于其在整个行业的广泛接受。