| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 薄膜电容 |
| 型 | B32656S |
| 其他 | 技术 :Wound 设计 :Radial AEC-Q200 :YES 封装类型 :Untaped 电介质(类型) :Polypropylene 其他详细信息 : |
| 尺寸 | 厚度(h) :37.00mm Max. 宽度(w) :28.00mm Max. 直径(d) : 长度(l) :42.00mm Max. 引线间距(e) : 其他详细信息 : |
| 状态 | 量产体制 |
| 类型 | MKP |
| 电气特性 | 电容 :820nF ±5% 电压上升率 :500V/μs 其他详细信息 : 额定电压 [DC] :1.25kV 均方根电压 [AC] :500Vrms |
B32656S7824J411数据手册
