| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 薄膜电容 |
| 型 | B81123 |
| 其他 | 备注 : 设计 :Radial AEC-Q200 :YES 封装类型 :Untaped straight (lead length 3.2±0.3mm) 抑制级别 :Y1 电介质(类型) :Polypropylene 其他详细信息 : |
| 尺寸 | 厚度(h) :16.50mm Max. 宽度(w) :8.50mm Max. 长度(l) :26.50mm Max. 引线间距(e) :22.50mm Nom. 其他详细信息 : |
| 状态 | 量产体制 |
| 电气特性 | 电容 :6.8nF ±20% 电压上升率 :1000V/μs 其他详细信息 : 均方根电压 [AC] :500Vrms |
B81123C1682M003数据手册
