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BC847BMGT116
| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 电子元器件分类 |
| 其他 | VCBO :50V VEBO :6V 工作温度 :-65℃~150℃ 封装/外壳 :SOT-23 功率耗散Pd :200mW 特征频率fT :200MHz 晶体管类型 :NPN 直流电流增益hFE :200 集电极连续电流 :100mA 集电极-射极饱和电压 :600mV 集电极-发射极最大电压VCEO :45V |
| 符合标准 | RoHS标准 :RoHS Compliant |
BC847BMGT116数据手册
暂无资料
