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BC857B_R1_00001
| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 电子元器件分类 |
| 其他 | VCBO :-50V VEBO :-5V FET类型 :PNP 工作温度 :-50℃~150℃ 封装/外壳 :SOT-23 功率耗散Pd :330mW 特征频率fT :200MHz 直流电流增益hFE :220 集电极连续电流 :-100mA 集电极-射极饱和电压 :-650mV 集电极-发射极最大电压VCEO :-45V |
| 符合标准 | RoHS标准 :Compliant |
BC857B_R1_00001数据手册
暂无资料
