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MOS管 DMN65D8LW-7
品种: 晶体管
种类:MOS管
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名称 参数
产品分类 MOS管
其他
包装方式 :Tape & Reel (TR)
产品生命周期 :Active
外形尺寸
封装 :SOT-323-3
封装参数
封装 :SOT-323-3
引脚数 :3
安装方式 :Surface Mount
技术参数
极性 :N-CH
通道数 :1
上升时间 :2.8 ns
下降时间 :7.3 ns
耗散功率 :0.432 W
阈值电压 :2 V
漏源极电阻 :3 Ω
工作温度(Max) :150 ℃
工作温度(Min) :-55 ℃
耗散功率(Max) :432 mW
额定功率(Max) :350 mW
漏源击穿电压 :60 V
输入电容(Ciss) :22pF @25V(Vds)
漏源极电压(Vds) :60 V
连续漏极电流(Ids) :0.3A
物理参数
工作温度 :-55℃ ~ 150℃ (TJ)
符合标准
RoHS标准 :RoHS Compliant
含铅标准 :Lead Free
REACH SVHC标准 :No SVHC
DMN65D8LW-7数据手册
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