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半场晶体管(MOSFET) IPAN70R600P7S
品种: 晶体管
种类:半场晶体管(MOSFET)
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名称 参数
产品分类 半场晶体管(MOSFET)
Q G 10.5
Q gd 3.7
R th 5.0
包装 TO-220 FullPAK Narrow Lead
极性 N
销数 3.0
特殊特征 price/performance
V DS最大值 700.0V
(@25°C)最大 8.5A
I D 最大值 8.5A
Q G (typ @10V) 10.5
R thJA最大值 80.0K/W
R thJC最大值 5.0K/W
越来越多的 THT
I Dpuls最大值 20.5A
P合计马克斯 24.9W
R DS(开)最大值 600.0mΩ
预算价格€/ 1 k 0.34
R DS (on)(@10V)最大 600.0mΩ
最大最小工作温度 -40.0°C
V GS(th)最大值最小值 2.5V
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