首页 > 晶体管> IPAN80R360P7
名称 参数
产品分类 半场晶体管(MOSFET)
Q G 30.0
Q gd 13.0
R th 4.2
包装 TO-220 FullPAK Narrow Lead
极性 N
销数 3.0
特殊特征 price/performance
V DS最大值 800.0V
(@25°C)最大 13.0A
I D 最大值 13.0A
Q G (typ @10V) 30.0
R thJA最大值 80.0K/W
R thJC最大值 4.2K/W
越来越多的 THT
I Dpuls最大值 34.0A
P合计马克斯 30.0W
R DS(开)最大值 360.0mΩ
预算价格€/ 1 k 0.98
R DS (on)(@10V)最大 360.0mΩ
最大最小工作温度 -55.0°C
V GS(th)最大值最小值 2.5V
IPAN80R360P7数据手册
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