| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
| Q G | 22.0 |
| 包装 | Power Block (PQFN 6x8) |
| Q gd (typ) | 6.0 |
| V DS最大值 | 60.0V |
| V GS最大值 | 20.0V |
| I D 最大值 | 20.0A |
| R thJA最大值 | 18.4K/W |
| R DS(开)最大值 | 1.8mΩ |
| 水分敏感水平 | 3 |
| R DS (on)(@10V)最大 | 1.8mΩ |
| R DS (on)(@4.5V)最大 | 2.2mΩ |
| I D (@ T C=100°C)最大 | 16.0A |
| I D (@ T C=70°C)最大值 | 20.0A |
IRF3546M数据手册
