| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
| Q G | 8.8 |
| Q gd | 3.0 |
| 包装 | DirectFET S1 |
| 极性 | N |
| T j最大值 | 175.0°C |
| Micro-stencil | IRF66S1-25 |
| V DS最大值 | 25.0V |
| V GS最大值 | 20.0V |
| R thJC最大值 | 9.8K/W |
| 越来越多的 | SMD |
| P合计马克斯 | 15.0W |
| R DS(开)最大值 | 5.9mΩ |
| 水分敏感水平 | 1 |
| R DS (on)(@10V)最大 | 5.9mΩ |
| R DS (on)(@4.5V)最大 | 11.9mΩ |
| I D (@ T A=25°C)最大 | 12.0A |
| I D (@ T A=70°C)最大 | 10.0A |
| I D (@ T C=25°C)最大 | 37.0A |
| P tot(@ T A=25°C)最大 | 1.8W |
IRF6710S2数据手册
