首页 > 晶体管> IRF6798M
名称 参数
产品分类 半场晶体管(MOSFET)
Q G 50.0
Q gd 16.0
包装 DirectFET MX
极性 N with Schottky
T j最大值 150.0°C
Micro-stencil IRF66MX-25
V DS最大值 25.0V
V GS最大值 20.0V
R thJC最大值 1.6K/W
越来越多的 SMD
P合计马克斯 78.0W
R DS(开)最大值 1.3mΩ
水分敏感水平 1
R DS (on)(@10V)最大 1.3mΩ
R DS (on)(@4.5V)最大 2.1mΩ
I D (@ T A=25°C)最大 37.0A
I D (@ T A=70°C)最大 30.0A
I D (@ T C=25°C)最大 197.0A
P tot(@ T A=25°C)最大 2.8W
IRF6798M数据手册
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