| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
| Q gd | 2.7 |
| 包装 | DirectFET S1 |
| 极性 | N |
| T j最大值 | 150.0°C |
| Micro-stencil | IRF66S1-25 |
| V DS最大值 | 25.0V |
| V GS最大值 | 16.0V |
| (@25°C)最大 | 50.0A |
| Q G (typ @4.5V) | 7.4 |
| R thJC最大值 | 6.3K/W |
| 越来越多的 | SMD |
| P合计马克斯 | 20.0W |
| 水分敏感水平 | 1 |
| R DS (on)(@10V)最大 | 5.2mΩ |
| R DS (on)(@4.5V)最大 | 7.3mΩ |
| P tot(@ T A=25°C)最大 | 2.1W |
| V GS(th)最大值最小值 | 1.1V1.6 |
IRF6810S数据手册
