名称 | 参数 |
---|---|
产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
Q gd | 4.8 |
包装 | DPAK (TO-252) |
极性 | N |
T j最大值 | 150.0°C |
V DS最大值 | 500.0V |
V GS最大值 | 20.0V |
(@25°C)最大 | 3.6A |
Q G (typ @10V) | 13.3 |
R thJC最大值 | 1.6K/W |
越来越多的 | SMT |
P合计马克斯 | 78.0W |
水分敏感水平 | 1 |
R DS (on)(@10V)最大 | 2200.0mΩ |
V GS(th)最大值最小值 | 3.0V4.0 |
IRFR812数据手册