| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 半场晶体管(MOSFET) |
| Q G | 18.0 |
| Q gd | 10.0 |
| 包装 | IPAK (TO-251) |
| 极性 | P |
| T j最大值 | 150.0°C |
| V DS最大值 | -100.0V |
| V GS最大值 | 20.0V |
| I D 最大值 | -6.5A |
| R thJC最大值 | 3.2K/W |
| 越来越多的 | THT |
| P合计马克斯 | 39.0W |
| R DS(开)最大值 | 480.0mΩ |
| R DS (on)(@10V)最大 | 480.0mΩ |
| I D (@ T C=25°C)最大 | -6.5A |
| I D (@ T C=100°C)最大 | -4.1A |
IRFU9120N数据手册
