![](https://resources.mrchip.cn/TI/thumb/LMH6601.png)
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名称 | 参数 |
---|---|
产品分类 | 放大比较IC |
特征 | Shutdown |
评级 | Catalog |
@兆赫 | 10 |
建筑学 | FET / CMOS Input, Voltage FB |
铁路到铁路 | In to V-, Out |
通道数(#) | 1 |
封装|引脚|尺寸 | SOT-SC70 (DCK) 6 4 mm² 2 x 2.1 |
三次谐波(dBc) | 73 |
二次谐波(dBc) | 56 |
Acl时的BW(兆赫) | 250 |
工作温度范围(C) | -40 to 85 |
GBW(典型)(兆赫) | 150 |
回转率(典型)(V/us) | 275 |
Acl,最小规格增益(V/V) | 1 |
偏移漂移(典型)(uV/C) | 5 |
共模抑制比(典型)(dB) | 68 |
输出电流(典型值)(mA) | 150 |
每通道智商(典型值)(mA) | 9.6 |
1kHz时的Vn(典型值)(nV/rtHz) | 10 |
输入偏置电流(最大值)(pA) | 50 |
平带Vn(典型)(内华达州/港台) | 10 |
总电源电压(最大值)(+5V=5,+/-5V=10) | 5.5 |
总电源电压(最小值)(+5V=5,+/-5V=10) | 2.4 |
Vos(25℃时的偏移电压)(最大值)(mV) | 2.4 |
LMH6601数据手册