![](https://resources.mrchip.cn/TI/thumb/LMH6619-Q1.png)
![](https://resources.mrchip.cn/TI/thumb/LMH6619-Q1.png)
名称 | 参数 |
---|---|
产品分类 | 放大比较IC |
评级 | Automotive |
@兆赫 | 1 |
建筑学 | Voltage FB |
铁路到铁路 | In, Out |
通道数(#) | 2 |
封装|引脚|尺寸 | SOIC (D) 8 19 mm² 4.9 x 3.9 |
三次谐波(dBc) | 75 |
二次谐波(dBc) | 75 |
Acl时的BW(兆赫) | 140 |
工作温度范围(C) | -40 to 105 |
GBW(典型)(兆赫) | 63 |
回转率(典型)(V/us) | 57 |
Acl,最小规格增益(V/V) | 1 |
偏移漂移(典型)(uV/C) | 0.9 |
共模抑制比(典型)(dB) | 108 |
输出电流(典型值)(mA) | 35 |
每通道智商(典型值)(mA) | 1.45 |
1kHz时的Vn(典型值)(nV/rtHz) | 10 |
输入偏置电流(最大值)(pA) | 2400000 |
平带Vn(典型)(内华达州/港台) | 10 |
总电源电压(最大值)(+5V=5,+/-5V=10) | 11 |
总电源电压(最小值)(+5V=5,+/-5V=10) | 2.7 |
Vos(25℃时的偏移电压)(最大值)(mV) | 0.75 |
LMH6619-Q1数据手册