首页 > 半导体> LMH6619-Q1
名称 参数
产品分类 放大比较IC
评级 Automotive
@兆赫 1
建筑学 Voltage FB
铁路到铁路 In, Out
通道数(#) 2
封装|引脚|尺寸 SOIC (D) 8 19 mm² 4.9 x 3.9
三次谐波(dBc) 75
二次谐波(dBc) 75
Acl时的BW(兆赫) 140
工作温度范围(C) -40 to 105
GBW(典型)(兆赫) 63
回转率(典型)(V/us) 57
Acl,最小规格增益(V/V) 1
偏移漂移(典型)(uV/C) 0.9
共模抑制比(典型)(dB) 108
输出电流(典型值)(mA) 35
每通道智商(典型值)(mA) 1.45
1kHz时的Vn(典型值)(nV/rtHz) 10
输入偏置电流(最大值)(pA) 2400000
平带Vn(典型)(内华达州/港台) 10
总电源电压(最大值)(+5V=5,+/-5V=10) 11
总电源电压(最小值)(+5V=5,+/-5V=10) 2.7
Vos(25℃时的偏移电压)(最大值)(mV) 0.75
LMH6619-Q1数据手册
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