首页 > 半导体> LMH6626
名称 参数
产品分类 放大比较IC
特征 Decompensated
评级 Catalog
@兆赫 10
建筑学 Voltage FB
铁路到铁路 No
通道数(#) 2
封装|引脚|尺寸 SOIC (D) 8 19 mm² 4.9 x 3.9 VSSOP (DGK) 8 15 mm² 3 x 4.9
三次谐波(dBc) 80
二次谐波(dBc) 65
Acl时的BW(兆赫) 80
工作温度范围(C) -40 to 125
GBW(典型)(兆赫) 1600
回转率(典型)(V/us) 360
Acl,最小规格增益(V/V) 10
偏移漂移(典型)(uV/C) 0.25
共模抑制比(典型)(dB) 95
输出电流(典型值)(mA) 100
每通道智商(典型值)(mA) 12
1kHz时的Vn(典型值)(nV/rtHz) 1
输入偏置电流(最大值)(pA) 20000000
平带Vn(典型)(内华达州/港台) 1
总电源电压(最大值)(+5V=5,+/-5V=10) 12
总电源电压(最小值)(+5V=5,+/-5V=10) 5
Vos(25℃时的偏移电压)(最大值)(mV) 0.5
LMH6626数据手册
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