首页 > 半导体> LMV772-Q1
名称 参数
产品分类 放大比较IC
特征
评级 Automotive
建筑学 CMOS
铁路到铁路 In to V-, Out
通道数(#) 2
封装|引脚|尺寸 VSSOP (DGK) 8 15 mm² 3 x 4.9
工作温度范围(C) -40 to 125
GBW(典型)(兆赫) 3.5
回转率(典型)(V/us) 1.4
偏移漂移(典型)(uV/C) 0.35
1 kHz时THD+N(典型值)(%) 0.007
共模抑制比(典型)(dB) 90
输出电流(典型值)(mA) 66
每通道智商(典型值)(mA) 0.6
1kHz时的Vn(典型值)(nV/rtHz) 7.5
输入偏置电流(最大值)(pA) 100
总电源电压(最大值)(+5V=5,+/-5V=10) 5
总电源电压(最小值)(+5V=5,+/-5V=10) 2.7
Vos(25℃时的偏移电压)(最大值)(mV) 1
LMV772-Q1数据手册
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