首页 > 半导体> LMV793
名称 参数
产品分类 放大比较IC
特征 Decompensated
评级 Catalog
建筑学 FET / CMOS Input, Voltage FB
铁路到铁路 In to V-, Out
通道数(#) 1
封装|引脚|尺寸 SOIC (D) 8 19 mm² 4.9 x 3.9 SOT-23 (DBV) 5 5 mm² 2.9 x 1.6
Acl时的BW(兆赫) 88
工作温度范围(C) -40 to 125
GBW(典型)(兆赫) 88
回转率(典型)(V/us) 28
Acl,最小规格增益(V/V) 10
偏移漂移(典型)(uV/C) 1
共模抑制比(典型)(dB) 100
输出电流(典型值)(mA) 21
每通道智商(典型值)(mA) 1.15
1kHz时的Vn(典型值)(nV/rtHz) 5.8
输入偏置电流(最大值)(pA) 1
平带Vn(典型)(内华达州/港台) 5.8
总电源电压(最大值)(+5V=5,+/-5V=10) 5
总电源电压(最小值)(+5V=5,+/-5V=10) 1.8
Vos(25℃时的偏移电压)(最大值)(mV) 1.35
LMV793数据手册
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