| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 放大比较IC |
| 特征 | — |
| 评级 | Catalog |
| 建筑学 | Bipolar |
| 铁路到铁路 | In to V-, Out |
| 通道数（#） | 4 |
| 封装|引脚|尺寸 | SOIC (D) 14 52 mm² 8.65 x 6 TSSOP (PW) 14 32 mm² 5 x 6.4 TVSOP (DGV) 14 23 mm² 3.6 x 6.4 |
| 工作温度范围（C） | -40 to 125, -40 to 85 |
| GBW（典型）（兆赫） | 5.6 |
| 回转率（典型）（V/us） | 2 |
| 偏移漂移（典型）（uV/C） | 1 |
| 共模抑制比（典型）（dB） | 90 |
| 输出电流（典型值）（mA） | 40 |
| 每通道智商（典型值）（mA） | 0.25 |
| 1kHz时的Vn（典型值）（nV/rtHz） | 24 |
| 输入偏置电流（最大值）（pA） | 100000 |
| 总电源电压（最大值）（+5V=5，+/-5V=10） | 5.5 |
| 总电源电压（最小值）（+5V=5，+/-5V=10） | 2.5 |
| Vos（25℃时的偏移电压）（最大值）（mV） | 3.5 |
LMV824-N数据手册
