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放大比较IC
LMV842
品种:
半导体
种类:放大比较IC
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名称 | 参数 |
---|---|
产品分类 | 放大比较IC |
特征 | — |
评级 | Catalog |
建筑学 | CMOS |
铁路到铁路 | In, Out |
通道数(#) | 2 |
封装|引脚|尺寸 | SOIC (D) 8 19 mm² 4.9 x 3.9 VSSOP (DGK) 8 15 mm² 3 x 4.9 |
工作温度范围(C) | -40 to 125 |
GBW(典型)(兆赫) | 4.5 |
回转率(典型)(V/us) | 2.5 |
偏移漂移(典型)(uV/C) | 0.35 |
1 kHz时THD+N(典型值)(%) | 0.003 |
共模抑制比(典型)(dB) | 106 |
输出电流(典型值)(mA) | 33 |
每通道智商(典型值)(mA) | 0.96 |
1kHz时的Vn(典型值)(nV/rtHz) | 20 |
输入偏置电流(最大值)(pA) | 10 |
总电源电压(最大值)(+5V=5,+/-5V=10) | 12 |
总电源电压(最小值)(+5V=5,+/-5V=10) | 2.7 |
Vos(25℃时的偏移电压)(最大值)(mV) | 0.5 |
LMV842数据手册