| 名称 | 参数 |
|---|---|
| 产品分类 | 放大比较IC |
| 特征 | EMI Hardened |
| 评级 | Catalog |
| 建筑学 | CMOS |
| 铁路到铁路 | In to V-, Out |
| 通道数（#） | 2 |
| 封装|引脚|尺寸 | SOIC (D) 8 19 mm² 4.9 x 3.9 SOT-23-THN (DDF) 8 8 mm² 2.9 x 2.8 TSSOP (PW) 8 19 mm² 3 x 6.4 VSSOP (DGK) 8 15 mm² 3 x 4.9 WSON (DSG) 8 4 mm² 2 x 2 X2QFN (RUG) 10 3 mm² 1.5 x 2 |
| 工作温度范围（C） | -40 to 125 |
| GBW（典型）（兆赫） | 10 |
| 回转率（典型）（V/us） | 4.6 |
| 偏移漂移（典型）（uV/C） | 0.16 |
| 共模抑制比（典型）（dB） | 110 |
| 输出电流（典型值）（mA） | 68 |
| 每通道智商（典型值）（mA） | 0.99 |
| 1kHz时的Vn（典型值）（nV/rtHz） | 4.6 |
| 总电源电压（最大值）（+5V=5，+/-5V=10） | 5.5 |
| 总电源电压（最小值）（+5V=5，+/-5V=10） | 1.8 |
| Vos（25℃时的偏移电压）（最大值）（mV） | 0.7 |
OPA2375数据手册
