名称 | 参数 |
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产品分类 | 放大比较IC |
特征 | High Cload Drive |
评级 | Catalog |
建筑学 | Bipolar |
铁路到铁路 | In to V-, Out |
通道数(#) | 1 |
封装|引脚|尺寸 | SOIC (D) 8 19 mm² 3.91 x 4.9 |
工作温度范围(C) | -40 to 85 |
GBW(典型)(兆赫) | 0.035 |
回转率(典型)(V/us) | 0.01 |
偏移漂移(典型)(uV/C) | 0.5 |
共模抑制比(典型)(dB) | 124 |
输出电流(典型值)(mA) | 21 |
每通道智商(典型值)(mA) | 0.027 |
1kHz时的Vn(典型值)(nV/rtHz) | 45 |
输入偏置电流(最大值)(pA) | 20000 |
总电源电压(最大值)(+5V=5,+/-5V=10) | 36 |
总电源电压(最小值)(+5V=5,+/-5V=10) | 2.7 |
Vos(25℃时的偏移电压)(最大值)(mV) | 0.25 |
OPA251数据手册