名称 | 参数 |
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产品分类 | 放大比较IC |
特征 | EMI Hardened, Zero Drift |
评级 | Catalog |
建筑学 | CMOS |
铁路到铁路 | In, Out |
通道数(#) | 4 |
封装|引脚|尺寸 | SOIC (D) 14 52 mm² 8.65 x 6 TSSOP (PW) 14 32 mm² 5 x 6.4 |
工作温度范围(C) | -40 to 125 |
GBW(典型)(兆赫) | 0.3 |
回转率(典型)(V/us) | 0.15 |
偏移漂移(典型)(uV/C) | 0.05 |
共模抑制比(典型)(dB) | 108 |
输出电流(典型值)(mA) | 5 |
每通道智商(典型值)(mA) | 0.021 |
1kHz时的Vn(典型值)(nV/rtHz) | 55 |
总电源电压(最大值)(+5V=5,+/-5V=10) | 5.5 |
总电源电压(最小值)(+5V=5,+/-5V=10) | 1.8 |
Vos(25℃时的偏移电压)(最大值)(mV) | 0.09 |
OPA4317数据手册