首页 > 半导体> OPA4350-DIE
名称 参数
产品分类 放大比较IC
特征 High Cload Drive
评级 Catalog
建筑学 CMOS
铁路到铁路 In, Out
通道数(#) 4
封装|引脚|尺寸
GBW(典型)(兆赫) 38
回转率(典型)(V/us) 22
偏移漂移(典型)(uV/C) 4
1 kHz时THD+N(典型值)(%) 0.0006
共模抑制比(典型)(dB) 84
输出电流(典型值)(mA) 80
每通道智商(典型值)(mA) 5.2
1kHz时的Vn(典型值)(nV/rtHz) 7
输入偏置电流(最大值)(pA) 10
总电源电压(最大值)(+5V=5,+/-5V=10) 5.5
总电源电压(最小值)(+5V=5,+/-5V=10) 2.7
Vos(25℃时的偏移电压)(最大值)(mV) 0.5
OPA4350-DIE数据手册
0 购物车
0 消息