首页 > 半导体> OPA659
名称 参数
产品分类 放大比较IC
评级 Catalog
@兆赫 10
建筑学 FET / CMOS Input, Voltage FB
铁路到铁路 No
通道数(#) 1
封装|引脚|尺寸 SOT-23 (DBV) 5 5 mm² 2.9 x 1.6 VSON (DRB) 8 9 mm² 3.0 x 3.0
三次谐波(dBc) 100
二次谐波(dBc) 79
Acl时的BW(兆赫) 650
工作温度范围(C) -40 to 85
GBW(典型)(兆赫) 650
回转率(典型)(V/us) 2550
Acl,最小规格增益(V/V) 2
偏移漂移(典型)(uV/C) 10
共模抑制比(典型)(dB) 70
输出电流(典型值)(mA) 70
每通道智商(典型值)(mA) 30.5
1kHz时的Vn(典型值)(nV/rtHz) 8.9
输入偏置电流(最大值)(pA) 50
平带Vn(典型)(内华达州/港台) 8.9
总电源电压(最大值)(+5V=5,+/-5V=10) 13
总电源电压(最小值)(+5V=5,+/-5V=10) 7
Vos(25℃时的偏移电压)(最大值)(mV) 5
OPA659数据手册
0 购物车
0 消息